Младший научный сотрудник лаборатории квантовых информационных технологий, аспирант радиофизического факультета Дирко Владимир Владиславович победил в конкурсе на получение стипендии Президента Российской Федерации в 2022-2024 годах для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики Наименование проекта: «Двумерные структуры на основе кремния и германия для быстродействующих транзисторов нового поколения». Номер проекта: СП-2469.2022.5
Аннотация проекта:
Транзистор, как электронный компонент применяется в оборонной и космической промышленности, системах навигации, беспроводной передачи данных, машинной телематики и нет электронных систем, где бы не использовался транзистор. Но с быстрым развитием электронной промышленности и большому увеличению передаваемых данных от транзисторов требуются все более высокая частота работы, высокая чувствительность к сигналам, высокая мощность работы и другие режимы. Таким критериями обладают сверхвысокочастотные транзисторы.
Сверхвысокочастотные транзисторы и транзисторные модули нашли широкое применение в усилительных трактах связных и телевизионных радиопередатчиков, радаров различных диапазонов частот гражданского и специального назначения, в медицинской технике. В беспроводной связи транзисторные модули применяются для усиления всех современных видов сигналов.
На данный момент предел быстродействия транзисторов ограничен свойствами самого материала, из которого изготавливается транзистор и технологиями промышленного производства. Если на решение производства необходимо внедрение сложного оборудования, то на решение первой проблемы требуется поиск нового материала и еще более сложной задачей это внедрение его в кремниевую электронику, в свою очередь кремний занимает более 80% всей мировой электроники.
Одним из решений является создание сверхвысокочастотных транзисторов из напряженных эпитаксиальных пленок германий-кремний. За счет малой разницы между постоянными решетками кремния и германия возможно создание напряженного слоя с высокой подвижностью носителей заряда, что позволит получить транзисторы с частотой работы в десятки раз превышающие даже современные транзисторы, полученные в лабораториях. Таким образом, проблема, которая стоит на данный момент – это разработка технологии. Решению этой проблемы и будет посвящено данное исследование
Сайт конкурса: https://grants.extech.ru